CN202011252941 一种用于5G设备的半导体存储封装及其制备方法
本发明涉及一种用于5G设备的半导体存储封装及其制备方法，通过在有机模塑层的一侧设置多个第一凸起，并在有机模塑层的该侧的边缘处设置第一凹槽，进而使得第一金属布线层的一部分位于所述第一凸起的表面，所述第一金属布线层的另一部分嵌入到所述第一凹槽中，上述结构的设置可以降低半导体存储封装生产和使用过程中因碰撞、弯折等导致线路损坏的几率。而在后续的制备过程中，通过在所述线路基板中设置一凹腔，进而将半导体控制芯片设置于该凹腔中，进而可以在所述线路基板的上表面和下表面分别设置多个第一半导体存储模块，可以有效增加存储模块的数量，进而可以提高半导体存储封装的集成度。
